Inovasi Chip Hybrid GaN Dan Silikon Untuk Performa Elektronik Lebih Tinggi Dan Murah

Para peneliti di MIT berhasil mengembangkan proses baru yang menggabungkan transistor gallium nitride berkinerja tinggi pada chip CMOS silikon standar. Penggabungan ini sangat penting karena selama ini GaN sulit dipadukan dengan silikon karena biaya dan teknis yang rumit. Dengan metode baru ini, integrasi menjadi lebih mudah dan murah, sehingga memungkinkan aplikasi GaN di lebih banyak perangkat elektronik.Gallium nitride adalah semikonduktor kedua yang paling banyak digunakan setelah silikon. Material ini punya sifat unik yang cocok untuk lampu, radar, dan elektronik daya. Menggabungkan transistor GaN kecil dengan chip silikon memungkinkan setiap teknologi mendapatkan manfaat terbaik dari kedua material tersebut secara bersamaan.Metode proses yang dibuat melibatkan pemisahan banyak transistor GaN kecil yang disebut dielet, lalu dipasang pada chip silikon lewat bonding tembaga rendah suhu. Ini menjaga fungsi kedua material sekaligus menekan biaya karena tidak perlu emas atau suhu tinggi yang mahal dan berisiko merusak perangkat.Peneliti menguji teknologi ini dengan membuat power amplifier untuk ponsel. Amplifier ini menunjukkan performa sinyal lebih baik dan efisiensi tinggi dibanding dengan transistor tradisional berbasis silikon. Manfaatnya termasuk kualitas panggilan lebih baik, bandwidth lebih besar, konektivitas lebih stabil, dan baterai ponsel lebih tahan lama.Proses ini kompatibel dengan pabrik semikonduktor standar sehingga mudah diadopsi secara luas. Selain itu, GaN juga cocok untuk penggunaan pada suhu rendah yang dibutuhkan komputasi kuantum. Inovasi ini menjanjikan revolusi dalam teknologi elektronik komersial dan masa depan.