Transistor Tanpa Silikon dengan Desain Gate Mengelilingi Kanal Buka Masa Depan Elektronik Miniatur

Transistor adalah komponen penting dalam berbagai perangkat elektronik dari smartphone hingga mobil. Namun, transistor yang terbuat dari silikon mulai menemui batas dalam hal pengecilan ukuran dan performa. Para peneliti dari Universitas Tokyo berusaha menemukan alternatif material agar transistor tetap bisa diperkecil dengan performa yang ditingkatkan. Mereka mengganti silikon dengan bahan baru yang terbuat dari indium oxide yang didoping dengan gallium. Doping ini membantu mengatasi masalah cacat oksigen yang biasanya ada di indium oxide, sehingga transistor menjadi lebih stabil dan andal saat digunakan. Dalam proses pembuatannya, lapisan tipis material gallium-doped indium oxide disusun satu per satu menggunakan metode atomic-layer deposition. Setelah lapisan selesai dibuat, film tersebut dipanaskan untuk membentuk struktur kristal yang mendukung pergerakan elektron dengan efisien. Desain transistor yang dibuat menggunakan konsep gate yang melingkari saluran arus disebut gate-all-around. Desain ini meningkatkan efisiensi dan kemampuan transistor sehingga bisa dibuat lebih kecil tanpa kehilangan performa. Transistor ini juga menunjukkan kinerja yang stabil saat diuji selama hampir tiga jam. Penemuan ini membuka peluang untuk membuat komponen elektronik yang lebih kecil, cepat, dan dapat diandalkan di masa depan, terutama untuk teknologi canggih seperti kecerdasan buatan dan pengolahan data besar. Penelitian ini menunjukkan bahwa masa depan transistor mungkin bukan lagi berbasis silikon.