Terobosan Wafer N-polar GaN 8 Inci China Turunkan Biaya Produksi 40 Persen

Peneliti dari Tiongkok telah menciptakan wafer gallium nitride (GaN) N-polar terbesar di dunia dengan ukuran delapan inci. Penemuan ini dianggap sebagai terobosan besar dalam teknologi semikonduktor yang dapat mengurangi biaya produksi hingga 40 persen. Hal ini diharapkan dapat mempercepat penggunaan teknologi GaN di bidang komunikasi satelit dan kendaraan listrik.GaN merupakan semikonduktor generasi ketiga yang sangat penting karena kemampuannya dalam aplikasi berfrekuensi tinggi dan daya tinggi, seperti jaringan 5G/6G, kendaraan otonom, dan sistem radar. Material ini telah memungkinkan pengisian cepat 100W dalam ukuran kecil, mengurangi kerugian energi dalam kendaraan listrik, dan meningkatkan bandwidth komunikasi satelit.Keunggulan GaN terletak pada polaritas kristalnya. Meskipun ada dua jenis GaN, yaitu N-polar dan Ga-polar, N-polar memiliki performa yang lebih baik. Sebelumnya, produksi N-polar GaN terbatas pada wafer kecil berukuran dua hingga empat inci dengan biaya tinggi. Namun, tim peneliti dari JFS Laboratory di Wuhan berhasil memproduksi wafer N-polar berukuran delapan inci, yang dapat menurunkan biaya dan meningkatkan tegangan perangkat hingga 2000V.