TLDR
Interaksi antara bahan 2D dan lapisan isolator dapat mempengaruhi kinerja perangkat elektronik. Desain bersama antara lapisan aktif dan isolator diperlukan untuk mencapai miniaturisasi yang diinginkan dalam industri semikonduktor. Material zipper dapat menjadi solusi untuk mengatasi masalah gap dalam kombinasi bahan 2D dan isolator. Para peneliti dari TU Wien menemukan bahwa celah nano kecil sekitar 0,14 nanometer terbentuk antara material 2D ultrathin dan lapisan isolator oksida dalam transistor, yang melemahkan kontrol listrik di perangkat tersebut. Penemuan ini mengungkap masalah yang selama ini terabaikan dalam pengembangan chip kelas lanjut.Material 2D seperti graphene dan molybdenum disulfide memiliki sifat elektronik unggulan dan ketebalan hanya satu hingga beberapa lapis atom, sehingga sangat potensial untuk miniaturisasi. Namun interaksi antara material ini dan lapisan isolator sebenarnya lemah, hanya bergantung pada gaya van der Waals, sehingga menghasilkan celah yang mengurangi kopling kapasitif.Celah tersebut menjadi hambatan nyata dalam pengembangan chip lebih kecil dan efisien. Solusi yang diusulkan adalah pengembangan bahan ‘zipper materials’ yang dapat mengunci material dan isolator dengan lebih erat, sehingga menghilangkan gap dan memungkinkan miniaturisasi transistor secara berkelanjutan.
