TLDR
Metode baru untuk memproduksi semikonduktor 2D dapat mempercepat pengembangan chip generasi selanjutnya. Tungsten silikida nitride menunjukkan potensi besar dalam aplikasi transistor berkat sifat-sifatnya yang menguntungkan. Ketersediaan semikonduktor p-type yang berkinerja tinggi sangat penting untuk kemajuan teknologi chip. Beban kerja AI dan model bahasa besar menekan batas miniaturisasi transistor di chip saat ini. Material 2D semikonduktor menjadi alternatif menjanjikan karena ketebalan atom dan efisiensi energi yang lebih baik. Namun, doping p-type yang stabil dan berkinerja tinggi masih menjadi hambatan utama.Tim riset dari Institute of Metal Research mengembangkan metode CVD baru menggunakan substrat emas/tungsten cair untuk mempercepat produksi monolayer tungsten silicon nitride. Produksi meningkat 1.000 kali lipat, dengan film ukuran hingga 1,4 x 0,7 inci yang memiliki mobilitas hole tinggi dan stabilitas kimia kuat.Metode ini memungkinkan produksi material 2D dalam skala wafer yang dapat diintegrasikan ke dalam arsitektur CMOS untuk chip generasi berikutnya. Jadi, ini membuka peluang besar untuk pengembangan teknologi chip sub-5 nanometer dengan performa dan efisiensi energi yang lebih baik.
