Inovasi Memristor Hafnium Oxide Hemat Energi untuk Chip AI Masa Depan

Para peneliti di Universitas Cambridge berhasil mengembangkan memristor berperforma tinggi menggunakan hafnium oxide khusus yang meniru cara otak menghubungkan neuron dan menghemat energi. Memristor ini mengintegrasikan pemrosesan dan penyimpanan data dalam satu chip yang stabil dan efisien. Inovasi utama adalah penggunaan film tipis hafnium dengan p-n junction dari strontium dan titanium yang memungkinkan switching listrik halus tanpa filament konduktif yang tidak stabil. Hasilnya adalah konsumsi daya yang jauh lebih rendah, ribuan siklus pemakaian yang stabil, dan kemampuan menyimpan data sambil meniru proses pembelajaran otak biologis. Meski demikian, proses produksi saat ini membutuhkan suhu tinggi 700°C yang belum kompatibel dengan produksi semikonduktor standar. Jika suhu ini dapat diturunkan, teknologi ini berpotensi mengurangi konsumsi energi AI hingga 70% sekaligus menyediakan solusi perangkat keras adaptif untuk komputasi neuromorfik skala besar.